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SYSNX-68D模擬電路實驗箱//www.iwin98.com.cn是以《高等工業學校電子技術基礎 課程教學基本要求》中確定的教學實驗要求為基礎，包括了《模擬電子技術基礎》課程全部實驗內容，是專為各大專院校、中等專業學校和電大、職大等學生學習電子技術、電子線路等課程開發的最新型實驗設備。
一、關鍵特征
工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)箱中的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)選擇單(dan)位集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)具體(ti)方法設(she)計，單(dan)位集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)即關鍵工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang),再外接同一(yi)電氣(qi)元(yuan)件(jian)為該(gai)集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)參數值，或與同一(yi)的(de)(de)單(dan)位集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)女子(zi)組合(he),做完不(bu)相同的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)必須。每種工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)的(de)(de)集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang)原里圖都刷在工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)板漆層,留孩(hai)子(zi)們可如果根(gen)據各(ge)工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)的(de)(de)原里圖自(zi)乙建設(she)集(ji)(ji)成(cheng)運(yun)放(fang)(fang), 既的(de)(de)培養了(le)(le)留孩(hai)子(zi)們的(de)(de)自(zi)立想法力量及著手力量，也促進了(le)(le)該(gai)工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)箱的(de)(de)實(shi)用性(xing)(xing)、括展性(xing)(xing)。大區域元(yuan)電子(zi)元(yuan)件(jian)怎(zen)么安(an)裝在工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)板正(zheng)向(xiang)，加(jia)劇(ju)了(le)(le)留孩(hai)子(zi)們的(de)(de)各(ge)樣了(le)(le)解；選擇夾(jia)緊(jin)式(shi)燙金插孔將工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)連(lian)(lian)線引(yin)入(ru)，接連(lian)(lian)不(bu)靠(kao)(kao)譜，維修(xiu)部以(yi)便于(yu)簡潔(jie)(jie)、簡便易行(xing)；工(gong)(gong)(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)性(xing)(xing)箱由一(yi)體(ti)機型鉛合(he)金鋼材料(liao)做出, 外箱結(jie)實(shi)牢固不(bu)靠(kao)(kao)譜,改(gai)變(bian)形，總耐用,接地安(an)全保障的(de)(de)性(xing)(xing)能好,打開箱蓋以(yi)便于(yu)簡潔(jie)(jie)不(bu)靠(kao)(kao)譜，尺寸牢固，創意發型氣(qi)派。
二、實(shi)驗報告箱(xiang)組成部分(fen)
①電原(yuan)： 復制粘貼(tie)：AC 220V±10%，50HZ 所在：※DC：+5V，DC I≥1A ※DC：±12V，DC I≥0.2A ※DC：-5V～-12V隨意調節(jie)， I≥0.2A ※DC：＋5V～＋27V隨意調節(jie)，DC I≥0.2A 之內眾(zhong)位所在均經(jing)歷過流保證，一鍵康復技能 ※AC V:7.5V×2；AC I≥0.15A
②直(zhi)流(liu)輸(shu)出功率輸(shu)出功率源： 雙路-0.5V～＋0.5V；－5V～＋5V兩檔多次(ci)可(ke)控.
③指數函數形(xing)成器: 模擬傷(shang)害幾率(lv)：2HZ～90KHZ，分四檔 可模擬傷(shang)害 方波： 0～20V 半(ban)圓波：0～15V 正弦交流(liu)電波：0～10V
④數據(ju)式(shi)次數計（0～300KHZ）和電流輸出功率表（0～30V）
⑤分立元器件集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)：整流、濾波和穩壓集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；雙吸式變(bian)(bian)小(xiao)(xiao)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；多級(ji)阻(zu)容合體(ti)變(bian)(bian)小(xiao)(xiao)電(dian) 路(lu)；負(fu)回(hui)饋變(bian)(bian)小(xiao)(xiao)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；射(she)極緊跟器；差動(dong)變(bian)(bian)小(xiao)(xiao)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；互補原理(li)對應(ying)點 后級(ji)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；場相應(ying)管(guan)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；可(ke)以控制(zhi)硅集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)運(yun)(yun)放(fang)(fang)(fang)；電(dian)極變(bian)(bian)阻(zu)器組；熱敏電(dian)阻(zu)、電(dian)容器和二、二極管(guan)等組成(cheng)(cheng)(cheng)的。
⑥融合系統(tong)(tong)虛擬仿(fang)真電路設計 二(er)個經濟(ji)獨立(li)的運(yun)算變大器(741)；融合系統(tong)(tong)音箱(LM386)
⑦SYSNX-68D帶二塊吐司(si)板，可供(gong)擴(kuo)容用。
三、實驗室活動
1.雙(shuang)吸式(shi)變(bian)(bian)大(da)(da)三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 2.多級變(bian)(bian)大(da)(da)三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 3.負反饋系統變(bian)(bian)大(da)(da)三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 4.射極(ji)緊(jin)跟(gen)器(qi) 5.差動(dong)變(bian)(bian)大(da)(da)三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 6.此例求和運算三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 7.積(ji)分(fen)兌換與(yu)微分(fen)三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 8.波型圖(tu)產生三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 9.有源(yuan)(yuan)濾波器(qi) 10.相(xiang)電流(liu)(liu)(liu)(liu)值電流(liu)(liu)(liu)(liu)相(xiang)對(dui)比較器(qi) 11.IC三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li)RC正(zheng)弦交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)電函數波震(zhen)蕩(dang)器(qi) 12.整合就 率變(bian)(bian)大(da)(da)器(qi) 13.整流(liu)(liu)(liu)(liu)濾波與(yu)電容電容并(bing)聯穩(wen)壓三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 14.電容并(bing)聯穩(wen)壓三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 15.整合穩(wen)壓電源(yuan)(yuan) 16.RC正(zheng)弦交(jiao)流(liu)(liu)(liu)(liu)電函數波震(zhen)蕩(dang)器(qi) 17.LC震(zhen)蕩(dang)器(qi)及選頻變(bian)(bian)大(da)(da)器(qi) 18.電流(liu)(liu)(liu)(liu)量(liang)/相(xiang)電流(liu)(liu)(liu)(liu)值電流(liu)(liu)(liu)(liu)裝(zhuang)換三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 19.相(xiang)電流(liu)(liu)(liu)(liu)值電流(liu)(liu)(liu)(liu)/規律裝(zhuang)換三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 20.相(xiang)輔(fu)相(xiang)成對(dui)應點(dian)最大(da)(da)瓦數變(bian)(bian)大(da)(da)器(qi) 21.波型圖(tu)切換三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 22.場滯(zhi)后效應管(guan)試驗 23.可控性硅(gui)試驗三(san)(san)(san)(san)(san)極(ji)管(guan)原(yuan)(yuan)理(li)(li)(li)(li) 額外增加:面(mian)包片板擴(kuo)容區
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